商品情報・ストアコンポーネントオーディオTA-A1ES特長
特長

プリアンプ部

FET入力ディスクリートバッファー回路を新開発・搭載

インテグレートアンプでは入力バッファーを持たない回路構成も多く見受けられますが、これはソース機器の出力アンプがボリュームを直接駆動することになり、その能力によって音質的に優劣がつきやすい状態です。また、オペアンプを使用する場合でも音質的に考慮され良い音の部品もありますが、電気的性能を極めたり、音質的コントロールをする観点ではディスクリート回路構成が理想です。TA-A1ESでは、入力信号を必要十分な高いインピーダンスで受け、低いインピーダンスで純度の高い状態で音楽信号をボリューム回路に送りこむために、FET入力バッファーアンプを開発搭載しました。これにより、ソース側のアンプの能力に関わらず音質を保ち、ボリューム素子をドライブですることができるのでボリューム位置による音質変化が少なくなるなど、高品位な信号処理を行います。

入力段のディスクリート回路基板
入力段のディスクリート回路基板

高品位な電子ボリュームICの採用

ボリュームコントロールには、集合抵抗を使って半導体スイッチで切り替える方式やDACを使ってボリュームを制御する方式もありますが、回路規模が大きくなりインテグレートの筐体に入れにくいほか、基板の面積が増え変調の影響や信号経路が長くなりがちです。TA-A1ESでは、音質的に比較した結果、電子ボリュームICを採用しています。電子ボリュームICを使うことで内部レイアウトは最短ルートに構成できるとともに、回路面積を最小限にすることで基板が振動したときの変調の影響を抑えることができます。

ボリューム回路を構成する電子ボリュームIC
ボリューム回路を構成する電子ボリュームIC

「オプティマム・ゲイン・コントロール Ver2」

電子ボリュームICは内部にバッファーアンプを持っておらず、純粋にシリコン上に構成された薄膜抵抗を音声信号が通るだけです。このICにディスクリートバッファーアンプを構成した「オプティマム・ゲイン・コントロール Ver2」はアッテネーター値0dB(フルボリューム)まではバッファーアンプのゲインが1倍(ノイズ最小領域)と実用領域での高いS/Nを実現します。また半導体を採用することでギャングエラーも0.25dB以下と非常に高精度で、ボリューム素子による劣化のない音楽信号をパワーアンプに送り出します。

ディスクリート構成のバッファーアンプ回路
ディスクリート構成のバッファーアンプ回路

パワーアンプ部

新開発の「シングルPP&HI CURRENT AMP」搭載

最終段のパワーアンプ部では、シンプルなデバイス構成による高純度な音楽再生を重視し、シングルプッシュプル(シングルPP)を採用しています。新開発の「シングルPP&HI CURRENT AMP」は、1組のトランジスタで構成した、シングル・プッシュ・プル動作で80W+80W(8Ω)の出力を実現しています。また、通常はトランジスタの熱暴走を防ぐために必要なエミッタ抵抗を削除するに成功しており、より純度の高い音楽再生を実現しています。

パワーアンプ部
パワーアンプ部

広帯域パワーアンプ

ソニーのマルチチャンネルインテグレートアンプでも採用している広帯域アンプは、トランジスタの温度変化に伴う位相変化による聴感上の影響抑える特長があります。TA-A1ESでは、電流帰還形のパワーアンプを採用することで超高域まで位相回転がなく、音像のフォーカス感が優れたサウンドを実現します。さらに、パワーアンプの容量負荷に対する発振止めのデバイスも削除することで、一組のトランジスタから出力される電力は直接スピーカーに給電され、より純度の高い音質を保つことができます。

新開発スマートバイアスコントロール

TA-A1ESでは、ボリューム位置によってバイアスの量をコントロールし、A級(*1)動作による高音質と、大音量時に対応するAB級(*2)動作を両立する「スマートコントロールバイアス」を新規に開発。どのボリューム位置においても、音楽信号の5割から7割を占める弱から中レベルの音楽信号領域ではA級動作を基本とし、大音量のピーク時のみAB級領域で動作します。むやみな発熱を抑え、音楽再生のほとんどの時間をA級動作領域で聴くことができます。また、バイアスを充分に加えることでトランジスタの発熱がほぼ一定となり、半導体チップレベルでの急激な温度変化がなく超高域での位相回転も抑えられフォーカスの良い音が楽しめるほか、エミッタ抵抗を削除しています。

*1 充分にバイアスを加えてクロスオーバー歪み自体を発生させない方式。AB級方式と比較して発熱や消費電力の面などで非効率である反面、純度の高い音質が魅力。可変量としては1Wから10WまでがA級領域
*2 クロスオーバー歪みをキャンセルできる一定量のバイアスを加えることで、発熱を抑えたエネルギー効率が比較的高い回路。AB級方式と呼び、多くのインテグレートアンプで採用されている

余裕のある大容量電源

電源部には十分な容量のトロイダルトランスを採用しました(300VA)。このトランスでは巻き線にOFCを採用しています。通常の銅線と比較して中高域のクリアネスを改善しています。また、ワニスを真空含浸することにより、内部までワニスが含浸しトランスのうなりを軽減しているほか、音質的に考慮した独自の巻き線の引き出し方を採用し高音質に寄与しています。コンデンサにはソニーカスタム品を採用。音質的な配慮はもちろん、チャンネル当たり24000μF(セットトータル48000μF)と十分な容量を確保し、急激な音楽信号の変化にも対応できるよう十分なエネルギーを蓄積しています。

大容量トロイダルトランス(左)とソニーカスタムの大型コンデンサー(右)
大容量トロイダルトランス(左)とソニーカスタムの大型コンデンサー(右)

新開発のFBBシャーシ(フレーム・ビーム・ベースシャーシ)を採用

TA-A1ESでは、これまでのFBシャーシを基本に、トランスベース(鉄板2mm+1.2mm)を与えています。これがビームを支える役割を果たし、ビーム自体のブレを抑えシャーシ全体の精度を向上させています。また底板も2mm+1.6mmの2重構造とすることで鉄板の共振点を高域に追いやるとともに、シャーシ全体の剛性を大幅に向上させています。入力端子がマウントされるバックパネルにも1.6mm厚のパネルを採用しFBBシャーシを構成しています。さらに、筺体の4つの脚にほぼ均一に重量が掛かるバランスになっており、ラックや棚板が音圧で振動をしてもアンプ内で振動の左右の差を生み出すことなく、安定した音場感や締まったセンターフォーカスを実現します。

FBB(フレーム・ビーム・ベース)シャーシ
FBB(フレーム・ビーム・ベース)シャーシ

新規開発の大型スピーカーターミナル搭載

TA-A1ES専用のスピーカー端子を新規に開発。この端子は基本的に、端末処理を行なったYラグ端子やバナナ端子を固定することを目的としていますが、バラ線の場合でも十分な締め込み口のサイズを設けています。また、モールドの部分にはバックパネルに取り付け時の剛性を上げるためにリブを設けモールドの鳴き止めを行う形状になっており、バックパネルへの取り付けも内側から1mmの補強板で1.6mm厚のバックパネルにサンドイッチした剛性の高い状態でマウントされます。

背面のスピーカー端子
背面のスピーカー端子

新開発の専用ヘッドホンアンプを搭載

ヘッドホンの性能を引き出すことを目的として独立したヘッドホンアンプを搭載。ヘッドホンアンプの難しさは、ヘッドホンのインピーダンスの大小のレンジが広いことが挙げられます。低いインピーダンスのヘッドホンと高いインピーダンスのヘッドホンとでは、アンプに求められる性能が相反します。ローインピーダンスヘッドホンをドライブすることを前提としたアンプでハイインピーダンスのヘッドホンをドライブすると音圧が足りなくなったりする場合があります。TA-A1ESでは、ヘッドホンのインピーダンスに合わせられるように3段切り替えを設け、お手持ちのヘッドホンの性能を充分に引き出します。またインピーダンス適合範囲の負荷ではアンプは純A級動作となります。

ヘッドホンアンプ部の回路基板
ヘッドホンアンプ部の回路基板
ソニーストアで購入すると
189,000 円+税

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